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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDG6322C
FDG6322C Image
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FDG6322C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDG6322C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDG6322C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
FDG6322C.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 226620

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDG6322C
onsemi - FDG6322C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDG6322C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V  
Puissance - Max 300mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA, 410mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDG6322  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDG6322C

Attributs du produit FDG6322C FDG6321C FDG6321C FDG6318PZ
Modèle de produit FDG6322C FDG6321C FDG6321C FDG6318PZ
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA, 410mA 500mA, 410mA 500mA, 410mA 500mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V 50pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Puissance - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base FDG6322 FDG6321 FDG6321 FDG6318
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 20V

Fiche technique FDG6322C PDF

Téléchargez FDG6322C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDG6322C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Feuilles de données
FDG6322C.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 15/Mar/2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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