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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAO5404E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

AO5404E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricant Modèle de produit
AO5404E
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-AO5404E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Description détaillée
Emballage
SC-89, SOT-490
Fiche technique
AO5404E.pdf
En stock: 107270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques AO5404E
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5404E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5404E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-89-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 280mW (Ta)  
Package / Boîte SC-89, SOT-490  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)  
Numéro de produit de base AO5404  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5404E

Attributs du produit AO5404E IRF5305LPBF IXTY08N100D2 SI3867DV-T1-E3
Modèle de produit AO5404E IRF5305LPBF IXTY08N100D2 SI3867DV-T1-E3
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies IXYS Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 10 V 1200 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta) 31A (Tc) 800mA (Tc) 3.9A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 280mW (Ta) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 60W (Tc) 1.1W (Ta)
Numéro de produit de base AO5404 IRF5305 IXTY08 SI3867
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V 60mOhm @ 16A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 51mOhm @ 5.1A, 4.5V
Package / Boîte SC-89, SOT-490 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package composant fournisseur SC-89-3 TO-262 TO-252AA 6-TSOP
Séries - HEXFET® Depletion TrenchFET®
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 55 V 1000 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±12V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA - 1.4V @ 250µA
Fonction FET - - Depletion Mode -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 10V - 2.5V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 4.5 V 63 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V

Fiche technique AO5404E PDF

Téléchargez AO5404E PDF DataSheets et Documentation Alpha & Omega Semiconductor Inc. pour AO5404E - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Autres documents connexes
AOS Green Policy.pdf
Informations environnementales
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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