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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD4810NHT4G
NTD4810NHT4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD4810NHT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD4810NHT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD4810NHT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD4810NH.pdf
En stock: 4990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD4810NHT4G
onsemi - NTD4810NHT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD4810NHT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1225 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 11.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 54A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD4810NHT4G

Attributs du produit NTD4810NHT4G NTD4810NT4G NTD4813N-35G NTD4809NT4G
Modèle de produit NTD4810NHT4G NTD4810NT4G NTD4813N-35G NTD4809NT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 54A (Tc) 9A (Ta), 54A (Tc) 7.6A (Ta), 40A (Tc) 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base NTD48 NTD48 NTD48 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur DPAK DPAK I-Pak DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 7.9 nC @ 4.5 V 25 nC @ 11.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1225 pF @ 12 V 1350 pF @ 12 V 860 pF @ 12 V 1456 pF @ 12 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk

Fiche technique NTD4810NHT4G PDF

Téléchargez NTD4810NHT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD4810NHT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NTD4810NH.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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