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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD4813N-1G
NTD4813N-1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD4813N-1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD4813N-1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD4813N-1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
NTD4813N.pdf
En stock: 3980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD4813N-1G
onsemi - NTD4813N-1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD4813N-1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 11.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD4813N-1G

Attributs du produit NTD4813N-1G NTD4809NHT4G NTD4810NT4G NTD4813NT4G
Modèle de produit NTD4813N-1G NTD4809NHT4G NTD4810NT4G NTD4813NT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 12 V 2155 pF @ 12 V 1350 pF @ 12 V 860 pF @ 12 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 7.9 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base NTD48 NTD48 NTD48 NTD48
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Ta), 40A (Tc) 9.6A (Ta), 58A (Tc) 9A (Ta), 54A (Tc) 7.6A (Ta), 40A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur I-PAK DPAK DPAK DPAK
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique NTD4813N-1G PDF

Téléchargez NTD4813N-1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD4813N-1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Feuilles de données
NTD4813N.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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