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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVTR4503NT1G
NVTR4503NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTR4503NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTR4503NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTR4503NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
NTR4503N.pdf
État RoHS
En stock: 411900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTR4503NT1G
onsemi - NVTR4503NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTR4503NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 420mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numéro de produit de base NVTR4503  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTR4503NT1G

Attributs du produit NVTR4503NT1G NVTR01P02LT1G NVTFS6H888NTAG NVTFS6H880NTAG
Modèle de produit NVTR4503NT1G NVTR01P02LT1G NVTFS6H888NTAG NVTFS6H880NTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 3.1 nC @ 4 V 4.7 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 15 V 225 pF @ 5 V 220 pF @ 40 V 370 pF @ 40 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 1.3A (Ta) 4.7A (Ta), 12A (Tc) 6.3A (Ta), 21A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 10V 220mOhm @ 750mA, 4.5V 55mOhm @ 5A, 10V 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.25V @ 250µA 4V @ 15µA 4V @ 20µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 420mW (Ta) 400mW (Ta) 2.9W (Ta), 18W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Numéro de produit de base NVTR4503 NVTR01 NVTFS6 NVTFS6
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 80 V 80 V

Fiche technique NVTR4503NT1G PDF

Téléchargez NVTR4503NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTR4503NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Feuilles de données
NTR4503N.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NVTR4503NT1G

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32D-NVTR4503NT1G

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