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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVTFWS052P04M8LTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTFWS052P04M8LTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTFWS052P04M8LTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTFWS052P04M8LTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NVTFS052P04M8L.pdf
État RoHS
En stock: 81830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTFWS052P04M8LTAG
onsemi - NVTFWS052P04M8LTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTFWS052P04M8LTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 95µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Ta), 23W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)  
Numéro de produit de base NVTFWS052  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTFWS052P04M8LTAG

Attributs du produit NVTFWS052P04M8LTAG NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS6H850NLTAG NVTR01P02LT1G
Modèle de produit NVTFWS052P04M8LTAG NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS6H850NLTAG NVTR01P02LT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 5A, 10V 9.8mOhm @ 25A, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 60 V 80 V 20 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 20 V 880 pF @ 25 V 1450 pF @ 40 V 225 pF @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Ta), 23W (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 3.9W (Ta), 73W (Tc) 400mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc) 14.8A (Ta), 64A (Tc) 1.3A (Ta)
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) SOT-23-3 (TO-236)
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base NVTFWS052 NVTFS5 NVTFS6 NVTR01
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 3.1 nC @ 4 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 95µA 2V @ 250µA 2V @ 70µA 1.25V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V

Fiche technique NVTFWS052P04M8LTAG PDF

Téléchargez NVTFWS052P04M8LTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTFWS052P04M8LTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
NVTFS052P04M8L.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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