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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTJD4001NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTJD4001NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTJD4001NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
N(V)TJD4001N.pdf
État RoHS
En stock: 281340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTJD4001NT1G
onsemi - NVTJD4001NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTJD4001NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Puissance - Max 272mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NVTJD4001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTJD4001NT1G

Attributs du produit NVTJD4001NT1G NVTFWS015N04CTAG NVTR4502PT NVTFS6H880NTAG
Modèle de produit NVTJD4001NT1G NVTFWS015N04CTAG NVTR4502PT NVTFS6H880NTAG
Fabricant onsemi onsemi VBSEMI onsemi
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 3.5V @ 20µA - 4V @ 20µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 17.3mOhm @ 7.5A, 10V - 32mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V 325 pF @ 25 V - 370 pF @ 40 V
Tension drain-source (Vdss) 30V 40 V - 80 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V 6.3 nC @ 10 V - 6.9 nC @ 10 V
Puissance - Max 272mW - - -
Numéro de produit de base NVTJD4001 NVTFWS015 - NVTFS6
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA 9.4A (Ta), 27A (Tc) - 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 8-WDFN (3.3x3.3) - 8-WDFN (3.3x3.3)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-PowerWDFN - 8-PowerWDFN

Fiche technique NVTJD4001NT1G PDF

Téléchargez NVTJD4001NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTJD4001NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
N(V)TJD4001N.pdf
PCN Obsolescence / EOL
FPCN FET 9-29-22.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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