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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVTFS4C05NTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTFS4C05NTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTFS4C05NTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTFS4C05NTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NVTFS4C05N.pdf
État RoHS
En stock: 33560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTFS4C05NTAG
onsemi - NVTFS4C05NTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTFS4C05NTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 68W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 102A (Tc)  
Numéro de produit de base NVTFS4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTFS4C05NTAG

Attributs du produit NVTFS4C05NTAG NVTFS4C13NTAG NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4823NTWG
Modèle de produit NVTFS4C05NTAG NVTFS4C13NTAG NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4823NTWG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 102A (Tc) 14A (Ta) 22A (Ta), 102A (Tc) -
Numéro de produit de base NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V 9.4mOhm @ 30A, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 68W (Tc) 3W (Ta), 26W (Tc) 3.2W (Ta), 68W (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 *
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 15.2 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 15 V 770 pF @ 15 V 1988 pF @ 15 V -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.2V @ 250µA -
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN -

Fiche technique NVTFS4C05NTAG PDF

Téléchargez NVTFS4C05NTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTFS4C05NTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Fab Chg 8/Jan/2021.pdf
Feuilles de données
NVTFS4C05N.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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