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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVTFS027N10MCLTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTFS027N10MCLTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTFS027N10MCLTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTFS027N10MCLTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
PTNG 100V LL U8FL
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NVTFS027N10MCL.pdf
État RoHS
En stock: 94860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTFS027N10MCLTAG
onsemi - NVTFS027N10MCLTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTFS027N10MCLTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 38µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A (Ta), 28A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTFS027N10MCLTAG

Attributs du produit NVTFS027N10MCLTAG NVTFS4C05NWFTAG NVTFS010N10MCLTAG NVTFS4823NTWG
Modèle de produit NVTFS027N10MCLTAG NVTFS4C05NWFTAG NVTFS010N10MCLTAG NVTFS4823NTWG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN -
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 *
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 3.2W (Ta), 68W (Tc) 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 50 V 1988 pF @ 15 V 2150 pF @ 50 V -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 10.6mOhm @ 15A, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.4A (Ta), 28A (Tc) 22A (Ta), 102A (Tc) 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 100 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 38µA 2.2V @ 250µA 3V @ 85µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -

Fiche technique NVTFS027N10MCLTAG PDF

Téléchargez NVTFS027N10MCLTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTFS027N10MCLTAG - onsemi.

Feuilles de données
NVTFS027N10MCL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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