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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVTFS4823NTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVTFS4823NTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVTFS4823NTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVTFS4823NTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NVTFS4823N.pdf
État RoHS
En stock: 4120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVTFS4823NTAG
onsemi - NVTFS4823NTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVTFS4823NTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 21W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  
Numéro de produit de base NVTFS4823  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVTFS4823NTAG

Attributs du produit NVTFS4823NTAG NVTFS4C06NTAG NVTFS4C08NTAG NVTFS4824NTWG
Modèle de produit NVTFS4823NTAG NVTFS4C06NTAG NVTFS4C08NTAG NVTFS4824NTWG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V 4.2mOhm @ 30A, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 23A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 21A (Ta) 17A (Ta) 18.2A (Ta)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 26 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base NVTFS4823 NVTFS4 NVTFS4 NVTFS4824
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 12 V 1683 pF @ 15 V 1113 pF @ 15 V 1740 pF @ 12 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 21W (Tc) 3.1W (Ta), 37W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA

Fiche technique NVTFS4823NTAG PDF

Téléchargez NVTFS4823NTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVTFS4823NTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NVTFS4823N.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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