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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVR4501NT1G
NVR4501NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVR4501NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVR4501NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVR4501NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
NTR4501N.pdf
État RoHS
En stock: 272770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVR4501NT1G
onsemi - NVR4501NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVR4501NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Tj)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)  
Numéro de produit de base NVR4501  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVR4501NT1G

Attributs du produit NVR4501NT1G STF22NM60N IPD50N04S410ATMA1 FQA44N08
Modèle de produit NVR4501NT1G STF22NM60N IPD50N04S410ATMA1 FQA44N08
Fabricant onsemi STMicroelectronics Infineon Technologies onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V 1300 pF @ 50 V 1430 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Séries Automotive, AEC-Q101 MDmesh™ II OptiMOS™ QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 15µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-3P-3, SC-65-3
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 44 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Numéro de produit de base NVR4501 STF22 IPD50 FQA4
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Tj) 30W (Tc) 41W (Tc) 163W (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±30V ±20V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta) 16A (Tc) 50A (Tc) 49.8A (Tc)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) TO-220FP PG-TO252-3-313 TO-3P
Tension drain-source (Vdss) 20 V 600 V 40 V 80 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V 220mOhm @ 8A, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 34mOhm @ 24.9A, 10V

Fiche technique NVR4501NT1G PDF

Téléchargez NVR4501NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVR4501NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Feuilles de données
NTR4501N.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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