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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF22NM60N
STF22NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF22NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF22NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF22NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx22NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 9481

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF22NM60N
STMicroelectronics - STF22NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF22NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base STF22  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF22NM60N

Attributs du produit STF22NM60N STF21NM50N STF23NM60ND STF23NM50N
Modèle de produit STF22NM60N STF21NM50N STF23NM60ND STF23NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 18A (Tc) 19.5A (Tc) 17A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 600 V 500 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V 1950 pF @ 25 V 2050 pF @ 50 V 1330 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base STF22 STF21 STF23 STF23
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II FDmesh™ II MDmesh™ II
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique STF22NM60N PDF

Téléchargez STF22NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF22NM60N - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Feuilles de données
STx22NM60N.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Layout 10/May/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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STF22NM60N

STMicroelectronics
32D-STF22NM60N

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