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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTHL040N120SC1
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTHL040N120SC1 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTHL040N120SC1
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTHL040N120SC1
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
NTHL040N120SC1.pdf
État RoHS
En stock: 2721

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTHL040N120SC1
onsemi - NTHL040N120SC1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHL040N120SC1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA  
Vgs (Max) +25V, -15V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 348W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1781 pF @ 800 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base NTHL040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTHL040N120SC1

Attributs du produit NTHL040N120SC1 NTHD5904NT1 NTHL040N65S3F NTHL033N65S3HF
Modèle de produit NTHL040N120SC1 NTHD5904NT1 NTHL040N65S3F NTHL033N65S3HF
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base NTHL040 NTHD59 NTHL040 NTHL033
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1781 pF @ 800 V 465 pF @ 16 V 5940 pF @ 400 V 6720 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA 1.2V @ 250µA 5V @ 6.5mA 5V @ 2.5mA
Séries - - SuperFET® III FRFET®, SuperFET® III
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 8-SMD, Flat Lead TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 2.5A (Ta) 65A (Tc) 70A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +25V, -15V ±8V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 20 V 6 nC @ 4.5 V 158 nC @ 10 V 188 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 20 V 650 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 40mOhm @ 32.5A, 10V 33mOhm @ 35A, 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 ChipFET™ TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 348W (Tc) 640mW (Ta) 446W (Tc) 500W (Tc)

Fiche technique NTHL040N120SC1 PDF

Téléchargez NTHL040N120SC1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTHL040N120SC1 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
NTHL040N120SC1.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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