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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTHD5904NT1G
NTHD5904NT1G Image
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NTHD5904NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTHD5904NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTHD5904NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
NTHD5904N.pdf
Notre certification
En stock: 4490

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NTHD5904NT1G
onsemi - NTHD5904NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHD5904NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ChipFET™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 640mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base NTHD59  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTHD5904NT1G

Attributs du produit NTHD5904NT1G NTHD5904NT1 NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1
Modèle de produit NTHD5904NT1G NTHD5904NT1 NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V 465 pF @ 16 V 300 pF @ 10 V -
Package composant fournisseur ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ -
Dissipation de puissance (max) 640mW (Ta) 640mW (Ta) 1.1W (Tj) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 2.2A (Tj) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V -
Fonction FET - - Schottky Diode (Isolated) -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Numéro de produit de base NTHD59 NTHD59 NTHD4 NTHD4P
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -

Fiche technique NTHD5904NT1G PDF

Téléchargez NTHD5904NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTHD5904NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données
NTHD5904N.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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NTHD5904NT1G

onsemi
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