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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTHD5904NT1
NTHD5904NT1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTHD5904NT1 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTHD5904NT1
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTHD5904NT1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
NTHD5904N.pdf
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTHD5904NT1
onsemi - NTHD5904NT1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHD5904NT1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ChipFET™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 640mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base NTHD59  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTHD5904NT1

Attributs du produit NTHD5904NT1 NTHD5904NT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Modèle de produit NTHD5904NT1 NTHD5904NT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 6.5mA 4.3V @ 10mA
Numéro de produit de base NTHD59 NTHD59 NTHL040 NTHL040
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Dissipation de puissance (max) 640mW (Ta) 640mW (Ta) 446W (Tc) 348W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 20V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±30V +25V, -15V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V 465 pF @ 16 V 5940 pF @ 400 V 1781 pF @ 800 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 650 V 1200 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 65A (Tc) 60A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead TO-247-3 TO-247-3
Séries - - SuperFET® III -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 158 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 40mOhm @ 32.5A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V
Package composant fournisseur ChipFET™ ChipFET™ TO-247-3 TO-247-3

Fiche technique NTHD5904NT1 PDF

Téléchargez NTHD5904NT1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTHD5904NT1 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Feuilles de données
NTHD5904N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTHD5904NT1

onsemi
32D-NTHD5904NT1

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