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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD360N65S3H
NTD360N65S3H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD360N65S3H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD360N65S3H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD360N65S3H
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD360N65S3H.pdf
État RoHS
En stock: 30116

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD360N65S3H
onsemi - NTD360N65S3H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD360N65S3H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252)  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 916 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD360N65S3H

Attributs du produit NTD360N65S3H NTD40N03R-1G NTD30N02T4G NTD3813NT4G
Modèle de produit NTD360N65S3H NTD40N03R-1G NTD30N02T4G NTD3813NT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252) I-PAK DPAK DPAK
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Séries SuperFET® III - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V 16.5mOhm @ 10A, 10V 14.5mOhm @ 30A, 10V 8.75mOhm @ 15A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 25 V 24 V 16 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V 5.78 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 12.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 916 pF @ 400 V 584 pF @ 20 V 1000 pF @ 20 V 963 pF @ 12 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc) 75W (Tj) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 7.8A (Ta), 32A (Tc) 30A (Ta) 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±16V

Fiche technique NTD360N65S3H PDF

Téléchargez NTD360N65S3H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD360N65S3H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Feuilles de données
NTD360N65S3H.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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