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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD32N06L
NTD32N06L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD32N06L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD32N06L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD32N06L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD32N06L.pdf
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD32N06L
onsemi - NTD32N06L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD32N06L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 16A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta)  
Numéro de produit de base NTD32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD32N06L

Attributs du produit NTD32N06L NTD3813NT4G NTD32N06T4G NTD3055L170T4G
Modèle de produit NTD32N06L NTD3813NT4G NTD32N06T4G NTD3055L170T4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta) 9.6A (Ta), 51A (Tc) 32A (Ta) 9A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4.5V, 10V 10V 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 16A, 5V 8.75mOhm @ 15A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 170mOhm @ 4.5A, 5V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 16 V 60 V 60 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Numéro de produit de base NTD32 NTD38 NTD32 NTD3055
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 963 pF @ 12 V 1725 pF @ 25 V 275 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V 12.8 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique NTD32N06L PDF

Téléchargez NTD32N06L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD32N06L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf
Feuilles de données
NTD32N06L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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