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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD30N02T4G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD30N02T4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD30N02T4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD30N02T4G
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD30N02T4G.pdf
État RoHS
En stock: 105400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD30N02T4G
onsemi - NTD30N02T4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD30N02T4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD30N02T4G

Attributs du produit NTD30N02T4G NTD3055L170G NTD360N65S3H NTD32N06L
Modèle de produit NTD30N02T4G NTD3055L170G NTD360N65S3H NTD32N06L
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries - - SuperFET® III -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 20 V 275 pF @ 25 V 916 pF @ 400 V 1700 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V 10V 5V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±30V ±20V
Emballer Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta) 9A (Ta) 10A (Tc) 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 30A, 10V 170mOhm @ 4.5A, 5V 360mOhm @ 5A, 10V 28mOhm @ 16A, 5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 700µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) 83W (Tc) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Tension drain-source (Vdss) 24 V 60 V 650 V 60 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 10 nC @ 5 V 17.5 nC @ 10 V 50 nC @ 5 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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