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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA75339S3S
HUFA75339S3S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA75339S3S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUFA75339S3S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA75339S3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HUFA75339G3/P3/S3S.pdf
En stock: 5030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA75339S3S
onsemi - HUFA75339S3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUFA75339S3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base HUFA75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUFA75339S3S

Attributs du produit HUFA75339S3S HUFA75344S3S HUFA75344S3S HUFA75333S3S
Modèle de produit HUFA75339S3S HUFA75344S3S HUFA75344S3S HUFA75333S3S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 285W (Tc) 285W (Tc) 150W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 16mOhm @ 66A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base HUFA75 - HUFA75 HUFA75
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 66A (Tc)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique HUFA75339S3S PDF

Téléchargez HUFA75339S3S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUFA75339S3S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUFA75339G3/P3/S3S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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