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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA75332S3S
HUFA75332S3S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA75332S3S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUFA75332S3S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA75332S3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HUFA75332G3/P3/S3S.pdf
En stock: 4820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA75332S3S
onsemi - HUFA75332S3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUFA75332S3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 145W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base HUFA75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUFA75332S3S

Attributs du produit HUFA75332S3S HUFA75332S3S HUFA75321P3 HUFA75337S3ST
Modèle de produit HUFA75332S3S HUFA75332S3S HUFA75321P3 HUFA75337S3ST
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 35A (Tc) 75A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 34mOhm @ 35A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 1775 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base HUFA75 - HUFA75 -
Dissipation de puissance (max) 145W (Tc) 145W (Tc) 93W (Tc) 175W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-220-3 D2PAK (TO-263)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 109 nC @ 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount

Fiche technique HUFA75332S3S PDF

Téléchargez HUFA75332S3S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUFA75332S3S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUFA75332G3/P3/S3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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