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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA75344S3
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA75344S3 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HUFA75344S3
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA75344S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
HUFA75344S3.pdf
État RoHS
En stock: 36448

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA75344S3
Fairchild Semiconductor - HUFA75344S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HUFA75344S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 285W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HUFA75344S3

Attributs du produit HUFA75344S3 HUFA75344S3S HUFA75433S3ST HUFA75343P3
Modèle de produit HUFA75344S3 HUFA75344S3S HUFA75433S3ST HUFA75343P3
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipation de puissance (max) 285W (Tc) 285W (Tc) 150W (Tc) 270W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 64A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 16mOhm @ 64A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-220-3
Fonction FET - - - -
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 117 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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