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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA75321D3S
HUFA75321D3S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA75321D3S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUFA75321D3S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA75321D3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
HUFA75321D3(S).pdf
En stock: 4200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA75321D3S
onsemi - HUFA75321D3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUFA75321D3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 93W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base HUFA75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUFA75321D3S

Attributs du produit HUFA75321D3S HUFA75307T3ST HUFA75332S3ST HUFA75309D3S
Modèle de produit HUFA75321D3S HUFA75307T3ST HUFA75332S3ST HUFA75309D3S
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 24 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 70mOhm @ 19A, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Package composant fournisseur TO-252AA SOT-223-4 D2PAK (TO-263) TO-252, (D-Pak)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Dissipation de puissance (max) 93W (Tc) 1.1W (Ta) 145W (Tc) 55W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base HUFA75 HUFA75307 - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 2.6A (Ta) 60A (Tc) 19A (Tc)

Fiche technique HUFA75321D3S PDF

Téléchargez HUFA75321D3S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUFA75321D3S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUFA75321D3(S).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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