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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD5N50CTM
FQD5N50CTM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD5N50CTM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD5N50CTM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD5N50CTM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQ(D,U)5N50C.pdf
En stock: 4070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD5N50CTM
onsemi - FQD5N50CTM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD5N50CTM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD5N50CTM

Attributs du produit FQD5N50CTM FQD5N60CTF FQD5N50CTM FQD5N50CTF
Modèle de produit FQD5N50CTM FQD5N60CTF FQD5N50CTM FQD5N50CTF
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Numéro de produit de base FQD5 FQD5 - FQD5
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 2.8A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique FQD5N50CTM PDF

Téléchargez FQD5N50CTM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD5N50CTM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQ(D,U)5N50C.pdf
Conception / spécification PCN
Passivation Material 14/May/2008.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQD5N50CTM

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