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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD5N40TM
FQD5N40TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD5N40TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD5N40TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD5N40TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD5N40TM.pdf
En stock: 4890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD5N40TM
onsemi - FQD5N40TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD5N40TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 1.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD5N40TM

Attributs du produit FQD5N40TM FQD5N15TM FQD5N50CTF FQD5N15TM
Modèle de produit FQD5N40TM FQD5N15TM FQD5N50CTF FQD5N15TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Numéro de produit de base FQD5 - FQD5 FQD5N15
Tension drain-source (Vdss) 400 V 150 V 500 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 1.7A, 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Tc) 4.3A (Tc) 4A (Tc) 4.3A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique FQD5N40TM PDF

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Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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