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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD5N50CTF
FQD5N50CTF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD5N50CTF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD5N50CTF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD5N50CTF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQ(D,U)5N50C.pdf
En stock: 4880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD5N50CTF
onsemi - FQD5N50CTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD5N50CTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD5N50CTF

Attributs du produit FQD5N50CTF FQD5N40TM FQD5N60CTF FQD5N60CTM
Modèle de produit FQD5N50CTF FQD5N40TM FQD5N60CTF FQD5N60CTM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 400 V 600 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 3.4A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base FQD5 - FQD5 FQD5N60
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique FQD5N50CTF PDF

Téléchargez FQD5N50CTF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD5N50CTF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQ(D,U)5N50C.pdf
Conception / spécification PCN
Passivation Material 14/May/2008.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQD5N50CTF

onsemi
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