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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB24N08TM
FQB24N08TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB24N08TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB24N08TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB24N08TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB24N08, FQI24N08.pdf
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB24N08TM
onsemi - FQB24N08TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB24N08TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB24N08TM

Attributs du produit FQB24N08TM FQB22P10TM-F085 FQB27P06TM FQB22P10TM
Modèle de produit FQB24N08TM FQB22P10TM-F085 FQB27P06TM FQB22P10TM
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V 70mOhm @ 13.5A, 10V 125mOhm @ 11A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 60 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries QFET® Automotive, AEC-Q101, QFET® QFET® QFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Numéro de produit de base FQB2 FQB2 FQB27 FQB22P10
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 22A (Tc) 27A (Tc) 22A (Tc)

Fiche technique FQB24N08TM PDF

Téléchargez FQB24N08TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB24N08TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB24N08, FQI24N08.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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