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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB22P10TM-F085
FQB22P10TM-F085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB22P10TM-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB22P10TM-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB22P10TM-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB22P10TM-F085.pdf
En stock: 5410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB22P10TM-F085
onsemi - FQB22P10TM-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB22P10TM-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries Automotive, AEC-Q101, QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB22P10TM-F085

Attributs du produit FQB22P10TM-F085 FQB27N25TM FQB19N20TM FQB1P50TM
Modèle de produit FQB22P10TM-F085 FQB27N25TM FQB19N20TM FQB1P50TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries Automotive, AEC-Q101, QFET® - QFET® QFET®
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 417W (Tj) 3.13W (Ta), 140W (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FQB2 FQB27 FQB19N20 FQB1P50
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 200 V 500 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V 131mOhm @ 25.5A, 10V 150mOhm @ 9.7A, 10V 10.5Ohm @ 750mA, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 25.5A (Tc) 19.4A (Tc) 1.5A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FQB22P10TM-F085 PDF

Téléchargez FQB22P10TM-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB22P10TM-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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