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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB27P06TM
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB27P06TM - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQB27P06TM
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQB27P06TM
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB27P06TM.pdf
En stock: 3850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB27P06TM
Fairchild Semiconductor - FQB27P06TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQB27P06TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB27  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQB27P06TM

Attributs du produit FQB27P06TM FQB2P25TM FQB2N60TM FQB27N25TM
Modèle de produit FQB27P06TM FQB2P25TM FQB2N60TM FQB27N25TM
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension drain-source (Vdss) 60 V 250 V 600 V 250 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FQB27 - FQB2 FQB27
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Séries QFET® QFET® QFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 13.5A, 10V 4Ohm @ 1.15A, 10V 4.7Ohm @ 1.2A, 10V 131mOhm @ 25.5A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 64W (Tc) 417W (Tj)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 2.3A (Tc) 2.4A (Tc) 25.5A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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