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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGA50N100BNTTU
FGA50N100BNTTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGA50N100BNTTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGA50N100BNTTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGA50N100BNTTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FGA50N100BNT.pdf
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGA50N100BNTTU
onsemi - FGA50N100BNTTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGA50N100BNTTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A  
Condition de test 600V, 60A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 34ns/243ns  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Puissance - Max 156 W  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT and Trench  
gate charge 257 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 A  
Numéro de produit de base FGA50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGA50N100BNTTU

Attributs du produit FGA50N100BNTTU FGA50T65SHD FGA50T65SHD FGA50N60LS
Modèle de produit FGA50N100BNTTU FGA50T65SHD FGA50T65SHD FGA50N60LS
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FGA50 FGA50T65 - FGA50
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 A 100 A 100 A 100 A
énergie de commutation - 1.28mJ (on), 384µJ (off) 1.28mJ (on), 384µJ (off) 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 34ns/243ns 22.4ns/73.6ns 22.4ns/73.6ns 54ns/146ns
Package composant fournisseur TO-3P TO-3PN TO-3PN TO-3P
Condition de test 600V, 60A, 10Ohm, 15V 400V, 50A, 6Ohm, 15V 400V, 50A, 6Ohm, 15V 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Séries - - - -
gate charge 257 nC 87 nC 87 nC 167 nC
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V 650 V 650 V 600 V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A 150 A 150 A 150 A
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A 2.1V @ 15V, 50A 2.1V @ 15V, 50A 1.8V @ 15V, 50A
Puissance - Max 156 W 319 W 319 W 240 W
type de IGBT NPT and Trench Trench Field Stop Trench Field Stop -

Fiche technique FGA50N100BNTTU PDF

Téléchargez FGA50N100BNTTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGA50N100BNTTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Feuilles de données
FGA50N100BNT.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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