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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGA5065ADF
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGA5065ADF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGA5065ADF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGA5065ADF
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FGA5065ADF.pdf
État RoHS
En stock: 12414

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGA5065ADF
onsemi - FGA5065ADF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGA5065ADF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A  
Condition de test 400V, 50A, 6Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20.8ns/62.4ns  
énergie de commutation 1.35mJ (on), 309µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 31.8 ns  
Puissance - Max 268 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 72.2 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A  
Numéro de produit de base FGA5065  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGA5065ADF

Attributs du produit FGA5065ADF FGA40T65UQDF FGA50N100BNTDTU FGA50N60LS
Modèle de produit FGA5065ADF FGA40T65UQDF FGA50N100BNTDTU FGA50N60LS
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20.8ns/62.4ns 32ns/271ns - 54ns/146ns
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150 A 120 A 100 A 150 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 650 V 1000 V 600 V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A 1.67V @ 15V, 40A 2.9V @ 15V, 60A 1.8V @ 15V, 50A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A 80 A 50 A 100 A
gate charge 72.2 nC 306 nC 275 nC 167 nC
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Séries - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base FGA5065 - FGA50N100 FGA50
Puissance - Max 268 W 231 W 156 W 240 W
Temps de recouvrement inverse (trr) 31.8 ns 89 ns 1.5 µs -
énergie de commutation 1.35mJ (on), 309µJ (off) 989µJ (on), 310µJ (off) - 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
type de IGBT Trench Field Stop NPT NPT and Trench -
Condition de test 400V, 50A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V - 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Fiche technique FGA5065ADF PDF

Téléchargez FGA5065ADF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGA5065ADF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 08/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FGA5065ADF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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