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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGA50N100BNTD2 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGA50N100BNTD2
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGA50N100BNTD2
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FGA50N100BNTD2.pdf
État RoHS
En stock: 4140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGA50N100BNTD2
onsemi - FGA50N100BNTD2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGA50N100BNTD2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A  
Condition de test 600V, 60A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 34ns/243ns  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns  
Puissance - Max 156 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT and Trench  
gate charge 257 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 A  
Numéro de produit de base FGA50N100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGA50N100BNTD2

Attributs du produit FGA50N100BNTD2 FGA5065ADF FGA40T65UQDF FGA50N100BNTDTU
Modèle de produit FGA50N100BNTD2 FGA5065ADF FGA40T65UQDF FGA50N100BNTDTU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Condition de test 600V, 60A, 10Ohm, 15V 400V, 50A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A 150 A 120 A 100 A
Emballer Tube Bulk Tube Tube
énergie de commutation - 1.35mJ (on), 309µJ (off) 989µJ (on), 310µJ (off) -
type de IGBT NPT and Trench Trench Field Stop NPT NPT and Trench
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Puissance - Max 156 W 268 W 231 W 156 W
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 34ns/243ns 20.8ns/62.4ns 32ns/271ns -
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns 31.8 ns 89 ns 1.5 µs
Package composant fournisseur TO-3P TO-3PN TO-3PN TO-3P
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V 650 V 650 V 1000 V
Numéro de produit de base FGA50N100 - FGA40T65 FGA50N100
gate charge 257 nC 72.2 nC 306 nC 275 nC
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A 2.2V @ 15V, 50A 1.67V @ 15V, 40A 2.9V @ 15V, 60A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 A 100 A 80 A 50 A
Séries - - - -

Fiche technique FGA50N100BNTD2 PDF

Téléchargez FGA50N100BNTD2 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGA50N100BNTD2 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 17/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
FGA50N100BNTD2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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