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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF8N50NZU
FDPF8N50NZU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF8N50NZU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF8N50NZU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF8N50NZU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF8N50NZU.pdf
État RoHS
En stock: 34319

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF8N50NZU
onsemi - FDPF8N50NZU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF8N50NZU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF8N50NZU

Attributs du produit FDPF8N50NZU FDPF8N60ZUT FDPF7N50U FDPF7N50F
Modèle de produit FDPF8N50NZU FDPF8N60ZUT FDPF7N50U FDPF7N50F
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 25 V 1265 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 34.5W (Tc) 39W (Tc) 38.5W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 6.5A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.35Ohm @ 3.25A, 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 1.15Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Séries UniFET-II™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FDPF8 FDPF8 - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDPF8N50NZU PDF

Téléchargez FDPF8N50NZU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF8N50NZU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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