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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF10N60NZ
FDPF10N60NZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF10N60NZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF10N60NZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF10N60NZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDP(F)10N60NZ.pdf
État RoHS
En stock: 22250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF10N60NZ
onsemi - FDPF10N60NZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF10N60NZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1475 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF10N60NZ

Attributs du produit FDPF10N60NZ FDPF10N60ZUT FDPF10N50FT FDPF10N50UT
Modèle de produit FDPF10N60NZ FDPF10N60ZUT FDPF10N50FT FDPF10N50UT
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Numéro de produit de base FDPF10 - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1475 pF @ 25 V 1980 pF @ 25 V 1170 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Séries UniFET-II™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V 1.05Ohm @ 4A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 8A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc)

Fiche technique FDPF10N60NZ PDF

Téléchargez FDPF10N60NZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF10N60NZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
FDP(F)10N60NZ.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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