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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF10N50UT
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF10N50UT - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDPF10N50UT
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF10N50UT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF10N50UT.pdf
En stock: 38830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF10N50UT
Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT

Attributs du produit FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
Modèle de produit FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V 1475 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Séries UniFET™ UniFET-II™ UniFET™ UniFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 38W (Tc) 31.3W (Tc) 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 350 V 500 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 1.05Ohm @ 4A, 10V

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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