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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF12N50FT
FDPF12N50FT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF12N50FT - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF12N50FT
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF12N50FT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF12N50FT.pdf
État RoHS
En stock: 4990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF12N50FT
onsemi - FDPF12N50FT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF12N50FT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1395 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF12N50FT

Attributs du produit FDPF12N50FT FDPF12N50FT FDPF12N50UT FDPF12N50T
Modèle de produit FDPF12N50FT FDPF12N50FT FDPF12N50UT FDPF12N50T
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1395 pF @ 25 V 1395 pF @ 25 V 1395 pF @ 25 V 1315 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries UniFET™ UniFET™ FRFET® UniFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc) 11.5A (Tc) 10A (Tc) 11.5A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 6A, 10V 700mOhm @ 6A, 10V 800mOhm @ 5A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDPF12 - - -
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDPF12N50FT PDF

Téléchargez FDPF12N50FT PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF12N50FT - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
FDPF12N50FT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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