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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMS3660AS
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS3660AS - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS3660AS
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS3660AS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS3660AS.pdf
État RoHS
En stock: 4110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS3660AS
onsemi - FDMS3660AS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS3660AS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power56  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A, 30A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDMS3660  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS3660AS

Attributs du produit FDMS3660AS FDMS3626S FDMS3664S FDMS3622S
Modèle de produit FDMS3660AS FDMS3626S FDMS3664S FDMS3622S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V 1570pF @ 13V 1765pF @ 15V 1570pF @ 13V
Package composant fournisseur Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base FDMS3660 FDMS3626 FDMS3664 FDMS3622
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 26nC @ 10V 29nC @ 10V 26nC @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A, 30A 17.5A, 25A 13A, 25A 17.5A, 34A
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2V @ 250µA
Puissance - Max 1W 1W 1W 1W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30V 25V 30V 25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 17.5A, 10V

Fiche technique FDMS3660AS PDF

Téléchargez FDMS3660AS PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS3660AS - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
FDMS3660AS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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