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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMS3660S
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS3660S - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDMS3660S
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS3660S
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS3660S.pdf
En stock: 4990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS3660S
Fairchild Semiconductor - FDMS3660S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDMS3660S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A, 60A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base FDMS3660  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDMS3660S

Attributs du produit FDMS3660S FDMS3660AS FDMS3624S FDMS3626S
Modèle de produit FDMS3660S FDMS3660AS FDMS3624S FDMS3626S
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Séries PowerTrench® PowerTrench® * PowerTrench®
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V 2230pF @ 15V - 1570pF @ 13V
Puissance - Max 1W 1W - 1W
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V - 25V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 2.7V @ 250µA - 2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) Power56 - 8-PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V - 5mOhm @ 17.5A, 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 30nC @ 10V - 26nC @ 10V
Numéro de produit de base FDMS3660 FDMS3660 FDMS3624 FDMS3626
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A, 60A 13A, 30A - 17.5A, 25A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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