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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMS3615S
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS3615S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS3615S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS3615S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS3615S.pdf
État RoHS
En stock: 4950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS3615S
onsemi - FDMS3615S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS3615S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power56  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 16A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A, 18A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base FDMS3615  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS3615S

Attributs du produit FDMS3615S FDMS3615S FDMS3624S FDMS3620S
Modèle de produit FDMS3615S FDMS3615S FDMS3624S FDMS3620S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 27nC @ 10V - 26nC @ 10V
Package composant fournisseur Power56 8-PQFN (5x6) - Power56
Séries PowerTrench® PowerTrench® * PowerTrench®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V 1765pF @ 13V - 1570pF @ 13V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Puissance - Max 1W 1W - 1W
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V - 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 16A, 10V 5.8mOhm @ 16A, 10V - 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A, 18A 16A, 18A - 17.5A, 38A
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Numéro de produit de base FDMS3615 FDMS3615 FDMS3624 FDMS3620
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 2V @ 250µA

Fiche technique FDMS3615S PDF

Téléchargez FDMS3615S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS3615S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 25/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
FDMS3615S.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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