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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDME910PZT
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDME910PZT - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDME910PZT
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDME910PZT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
Description détaillée
Emballage
6-PowerUFDFN
Fiche technique
FDME910PZT.pdf
État RoHS
En stock: 4540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDME910PZT
onsemi - FDME910PZT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDME910PZT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerUFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base FDME910  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDME910PZT

Attributs du produit FDME910PZT FDME910PZT FDME410NZT FDME905PT
Modèle de produit FDME910PZT FDME910PZT FDME410NZT FDME905PT
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 10 V 2110 pF @ 10 V 1025 pF @ 10 V 2315 pF @ 6 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 26mOhm @ 7A, 4.5V 22mOhm @ 8A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 8A (Ta) 7A (Ta) 8A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
Numéro de produit de base FDME910 - FDME41 -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta)

Fiche technique FDME910PZT PDF

Téléchargez FDME910PZT PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDME910PZT - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
FDME910PZT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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