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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF380N60E
FCPF380N60E Image
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FCPF380N60E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF380N60E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF380N60E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF380N60E.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 27456

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FCPF380N60E
onsemi - FCPF380N60E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF380N60E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.2A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF380  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF380N60E

Attributs du produit FCPF380N60E FCPF360N65S3R0L FCPF380N60 FCPF400N80Z
Modèle de produit FCPF380N60E FCPF360N65S3R0L FCPF380N60 FCPF400N80Z
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 800 V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.1mA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5A, 10V 360mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.2A (Tc) 10A (Tc) 10.2A (Tc) 11A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc) 27W (Tc) 31W (Tc) 35.7W (Tc)
Numéro de produit de base FCPF380 FCPF360 - FCPF400
Séries SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 730 pF @ 400 V 1665 pF @ 25 V 2350 pF @ 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V

Fiche technique FCPF380N60E PDF

Téléchargez FCPF380N60E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF380N60E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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