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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF360N65S3R0L
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF360N65S3R0L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF360N65S3R0L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF360N65S3R0L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF360N65S3R0L.pdf
État RoHS
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF360N65S3R0L
onsemi - FCPF360N65S3R0L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF360N65S3R0L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF360  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF360N65S3R0L

Attributs du produit FCPF360N65S3R0L FCPF380N65FL1 FCPF380N60E FCPF290N80
Modèle de produit FCPF360N65S3R0L FCPF380N65FL1 FCPF380N60E FCPF290N80
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc) 33W (Tc) 31W (Tc) 40W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 5.1A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Séries SuperFET® III FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 600 V 800 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.7mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10.2A (Tc) 10.2A (Tc) 17A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V 1680 pF @ 100 V 1770 pF @ 25 V 3205 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F TO-220F-3
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FCPF360 FCPF380 FCPF380 FCPF290

Fiche technique FCPF360N65S3R0L PDF

Téléchargez FCPF360N65S3R0L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF360N65S3R0L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf
Feuilles de données
FCPF360N65S3R0L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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