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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF380N65FL1
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FCPF380N65FL1 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FCPF380N65FL1
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF380N65FL1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF380N65FL1.pdf
Notre certification
En stock: 3670

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FCPF380N65FL1
Fairchild Semiconductor - FCPF380N65FL1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FCPF380N65FL1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.2A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FCPF380N65FL1

Attributs du produit FCPF380N65FL1 FCPF380N60 FCPF400N80Z FCPF4300N80Z
Modèle de produit FCPF380N65FL1 FCPF380N60 FCPF400N80Z FCPF4300N80Z
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 31W (Tc) 35.7W (Tc) 19.2W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.1A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V
Séries FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 800 V 800 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.2A (Tc) 10.2A (Tc) 11A (Tc) 1.6A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 100 V 1665 pF @ 25 V 2350 pF @ 100 V 355 pF @ 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.1mA 4.5V @ 160µA

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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