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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP150N65F
FCP150N65F Image
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FCP150N65F - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP150N65F
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP150N65F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FCP150N65F.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 17708

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FCP150N65F
onsemi - FCP150N65F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP150N65F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries HiPerFET™, Polar™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP150  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP150N65F

Attributs du produit FCP150N65F FCP165N65S3R0 FCP16N60 FCP16N60N
Modèle de produit FCP150N65F FCP165N65S3R0 FCP16N60 FCP16N60N
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc) 154W (Tc) 167W (Tc) 134.4W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA 4.5V @ 440mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FCP150 - FCP16 FCP16
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 19A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V 2250 pF @ 25 V 2170 pF @ 100 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries HiPerFET™, Polar™ SuperFET® III SuperFET™ SupreMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V

Fiche technique FCP150N65F PDF

Téléchargez FCP150N65F PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP150N65F - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf
Feuilles de données
FCP150N65F.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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