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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH077N65F-F085
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH077N65F-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH077N65F-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH077N65F-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH077N65F_F085.pdf
État RoHS
En stock: 5183

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH077N65F-F085
onsemi - FCH077N65F-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH077N65F-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 27A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7162 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH077  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH077N65F-F085

Attributs du produit FCH077N65F-F085 FCH070N60E FCH067N65S3-F155 FCH072N60
Modèle de produit FCH077N65F-F085 FCH070N60E FCH067N65S3-F155 FCH072N60
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 27A, 10V 70mOhm @ 26A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FCH077 FCH070 FCH067 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 52A (Tc) 44A (Tc) 52A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc) 481W (Tc) 312W (Tc) 481W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7162 pF @ 25 V 4925 pF @ 380 V 3090 pF @ 400 V 5890 pF @ 380 V
Séries Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA

Fiche technique FCH077N65F-F085 PDF

Téléchargez FCH077N65F-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH077N65F-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Dev Datasheet Chg 20/Dec/2019.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
FCH077N65F_F085.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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