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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

3LP01M-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
3LP01M-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-3LP01M-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
3LP01M.pdf
En stock: 3720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 3LP01M-TL-H
onsemi - 3LP01M-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 3LP01M-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MCP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.5 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.43 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta)  
Numéro de produit de base 3LP01  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 3LP01M-TL-H

Attributs du produit 3LP01M-TL-H 3LP01S-TL-E STD70NH02LT4 3LP01C-TB-E
Modèle de produit 3LP01M-TL-H 3LP01S-TL-E STD70NH02LT4 3LP01C-TB-E
Fabricant onsemi Sanyo STMicroelectronics onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V 10.4Ohm @ 50mA, 4V 8mOhm @ 30A, 10V 10.4Ohm @ 50mA, 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.5 pF @ 10 V 7500 pF @ 10 V 2050 pF @ 25 V 7.5 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4V 1.5V, 4V 5V, 10V 1.5V, 4V
Numéro de produit de base 3LP01 3LP01 STD70N 3LP01
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 24 V 30 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta) 100mA (Ta) 60A (Tc) 100mA (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 70W (Tc) 250mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id - - 1.8V @ 250µA -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±10V
Séries - - STripFET™ II -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur MCP SMCP DPAK SC-59-3/CP3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.43 nC @ 10 V 1.43 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 1.43 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 SC-75, SOT-416 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique 3LP01M-TL-H PDF

Téléchargez 3LP01M-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 3LP01M-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 19/Dec/2017.pdf
Feuilles de données
3LP01M.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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