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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMN30ENEAX
PMN30ENEAX Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMN30ENEAX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMN30ENEAX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMN30ENEAX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
PMN30ENEA.pdf
État RoHS
En stock: 244230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMN30ENEAX
Nexperia USA Inc. - PMN30ENEAX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMN30ENEAX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 667mW (Ta), 7.5W (Tc)  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Ta)  
Numéro de produit de base PMN30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMN30ENEAX

Attributs du produit PMN30ENEAX PMN30XPAX PMN30UNEX PMN280ENEAX
Modèle de produit PMN30ENEAX PMN30XPAX PMN30UNEX PMN280ENEAX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V ±12V ±8V ±20V
Numéro de produit de base PMN30 PMN30 PMN30 PMN280
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 8V 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V 16 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 6.8 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 20 V 20 V 100 V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - Automotive, AEC-Q101
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Ta) 5.2A (Ta) 4.8A (Ta) 1.2A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 20 V 1039 pF @ 10 V 558 pF @ 10 V 190 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.4A, 10V 33mOhm @ 5.2A, 8V 36mOhm @ 4.8A, 4.5V 385mOhm @ 1.2A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) 660mW (Ta), 7.5W (Tc) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 900mV @ 250µA 2.7V @ 250µA
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457

Fiche technique PMN30ENEAX PDF

Téléchargez PMN30ENEAX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMN30ENEAX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
PMN30ENEA.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMN30ENEAX

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