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Accueil Centre des produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Single~~1HP04CH-TL-W~~

L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

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1HP04CH-TL-W - onsemi

Fabricant Modèle de produit: 1HP04CH-TL-W

Fabricant: onsemi

Allelco Modèle de produit: 32D-1HP04CH-TL-W

Modèle ECAD

Description des pièces: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

Description détaillée

Emballage: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique: ~~1HP04CH-TL-W.pdf~~

État RoHS

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En stock: 5470

Spécifications

Spécifications techniques 1HP04CH-TL-W
onsemi - 1HP04CH-TL-W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 1HP04CH-TL-W

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 100µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	3-CPH
Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18Ohm @ 80mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	-
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer	Tape & Reel (TR)

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14 pF @ 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.9 nC @ 10 V
type de FET	P-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	170mA (Ta)
Numéro de produit de base	1HP04

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 1HP04CH-TL-W

Attributs du produit
Modèle de produit	1HP04CH-TL-W	IRF7471TRPBF	FDD6670AS	RZR040P01TL
Fabricant	onsemi	Infineon Technologies	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss)	100 V	40 V	30 V	12 V
Numéro de produit de base	1HP04	-	-	RZR040
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±10V
Séries	-	HEXFET®	PowerTrench®	-
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	170mA (Ta)	10A (Ta)	76A (Ta)	4A (Ta)
Emballer	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)
Type de montage	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 100µA	3V @ 250µA	3V @ 1mA	1V @ 1mA
Dissipation de puissance (max)	-	2.5W (Ta)	70W (Ta)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18Ohm @ 80mA, 10V	13mOhm @ 10A, 10V	8mOhm @ 13.8A, 10V	30mOhm @ 4A, 4.5V
Package composant fournisseur	3-CPH	8-SO	TO-252, (D-Pak)	TSMT3
Fonction FET	-	-	-	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14 pF @ 20 V	2820 pF @ 20 V	1580 pF @ 15 V	2350 pF @ 6 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.9 nC @ 10 V	32 nC @ 4.5 V	40 nC @ 10 V	30 nC @ 4.5 V
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	SC-96
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	1.5V, 4.5V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
type de FET	P-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel

Fiche technique 1HP04CH-TL-W PDF

Téléchargez 1HP04CH-TL-W PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 1HP04CH-TL-W - onsemi.

Informations environnementales: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL: Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Assemblage / origine PCN: 1HP04CH-TL-W Wafer Fab Tsfr 6/Feb/2018.pdf

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Amérique	Brésil	7
L'Europe 	Allemagne	5
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Océanie	Nouvelle-Zélande	5
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