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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7471TRPBF
IRF7471TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7471TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7471TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7471TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7471PbF.pdf
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7471TRPBF
Infineon Technologies - IRF7471TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7471TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7471TRPBF

Attributs du produit IRF7471TRPBF IRF7469TRPBF IRF7477TR IRF7476TRPBF
Modèle de produit IRF7471TRPBF IRF7469TRPBF IRF7477TR IRF7476TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 9A (Ta) 14A (Ta) 15A (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 15A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 20 V 2000 pF @ 20 V 2710 pF @ 15 V 2550 pF @ 6 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 12 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V

Fiche technique IRF7471TRPBF PDF

Téléchargez IRF7471TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7471TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF7471PbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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