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Guide MOSFET Power MOSFET STP55NF06: Pinout, Spécifications et alternatives

Dans cet article, nous plongeons dans les capacités et les applications du MOSFET STP55NF06, un MOSFET de puissance n canal robuste bien conformé pour son efficacité et son adaptabilité dans les circuits à haute demande.Connu pour sa faible résistance sur la résistance et la vitesse rapide, ce MOSFET est un actif dans les systèmes sensibles à la puissance tels que les contrôleurs de moteur et les alimentations.Avec la capacité de gérer une tension de source de drain 60 V et des courants continus jusqu'à 55A, le STP55NF06 est idéal pour les applications à forte intensité de puissance, offrant une gestion thermique et une fiabilité efficaces dans diverses conditions de fonctionnement.Des systèmes automobiles aux applications d'énergie renouvelable, la conception polyvalente du MOSFET STP55NF06 permet d'améliorer les performances, l'efficacité énergétique et la longévité améliorée du système.

Catalogue

Comprendre le STP55NF06

Le STP55NF06 est un MOSFET à canal N très capable, notable pour gérer des flux de courant considérables et permettre des actions de commutation rapides.Il démontre une efficacité impressionnante en raison de sa faible résistance sur la résistance.L'appareil commence la conduction avec une tension de porte de 10 V et atteint une efficacité maximale à 20 V, la positionnant comme un candidat solide pour faire fonctionner des charges de haute puissance.Son seuil de porte de 4V garantit qu'il fonctionne bien avec les microcontrôleurs, mais il réalise son meilleur à 10V, soutenant le courant continu jusqu'à 27A.Pour s'intégrer en douceur aux microcontrôleurs, l'implication d'un circuit de conducteur ou d'un MOSFET au niveau logique, comme le 2N7002, est conseillé.La réponse en fréquence louable de l'appareil le rend approprié pour les convertisseurs DC-DC.

Dans les applications impliquant des MOSFET comme le STP55NF06, la mise à la terre de la porte est correctement nécessaire pour éviter le déclenchement involontaire.Étant donné que les MOSFET s'activent et désactivent en fonction de la tension, la gestion de la tension de maîtrise devient insistante.Vous pouvez souvent incorporer des mesures de protection supplémentaires telles que les diodes Zener pour stabiliser la tension de la grille et le bouclier contre les surtensions de tension.

L'intégration avec succès avec les microcontrôleurs nécessite le déploiement stratégique des circuits de pilote.Ces circuits traitent des différences entre la tension de sortie du microcontrôleur et les demandes de la porte du MOSFET.Une approche commune utilise un conducteur de changement de niveau pour combler cet écart, assurant une interaction transparente entre les composants.

Configuration de la broche

Modèle CAO

Symbole

Empreinte

Modèle 3D

Caractéristiques

Fonctionnalité	Spécification
Type MOSFET	Channel n
Courant de vidange continu (ID)	35a
Courant de drain pulsé (id-peak)	50A
Égoutter la tension de dégradation de la source (VDS)	60V
Résistance à la source de drainage (RDS)	0,018 Ω
Tension de seuil de porte (VGS-TH)	20v (max)
Temps de hausse	50 ns
Temps d'automne	15 ns
Capacité d'entrée (CISS)	1300 pf
Capacité de sortie (COSS)	300 pf
Type de package	À 220

Applications

Direction électrique (EPS)

Les systèmes de direction électrique dans les véhicules modernes améliorent la précision et le confort dans la conduite.Le MOSFET STP55NF06 joue un rôle remarquable dans l'optimisation de la consommation de puissance et du temps de réponse, contribuant ainsi à ces améliorations.Les conducteurs signalent souvent une réduction tangible de la consommation de carburant, car les systèmes EPS entraînent de manière sélective, ce qui a un impact significatif sur l'efficacité des véhicules.

Système de freinage antiblocage (ABS)

Dans l'ABS, le STP55NF06 fournit une commutation rapide et efficace, utilisée pour un contrôle optimal de freinage.Sa résilience à haute température et ses capacités de commutation rapide sont particulièrement bénéfiques dans les urgences.Les tests démontrent systématiquement une meilleure sécurité en empêchant le verrouillage des roues, confirmant son efficacité.

Systèmes de contrôle d'essuie-glace

Dans les systèmes de contrôle d'essuie-glace, le STP55NF06 est basique pour des opérations précises et fiables dans diverses conditions météorologiques.Sa capacité à gérer les charges variables avec une perte de puissance minimale garantit un dégagement efficace du pare-brise.Des tests approfondis dans divers climats prouvent son efficacité dans l'amélioration de la visibilité et de la sécurité des conducteurs.

Systèmes de climatisation

Le STP55NF06 entraîne des moteurs et des compresseurs dans les systèmes de climatisation avec une efficacité exceptionnelle, permettant une gestion précise de la température dans les véhicules.Les capacités d'économie d'énergie de ce MOSFET réduisent la consommation globale d'énergie des véhicules.Les applications pratiques présentent son rôle dans le maintien du confort tout en prolongeant la durée de vie de la batterie.

Mécanismes de porte d'alimentation

Les systèmes de porte d'alimentation tirent parti des performances cohérentes du STP55NF06 pour des opérations lisses et fiables.La durabilité du MOSFET à travers les cycles répétés assure la longévité et minimise la maintenance.La rétroaction sur le terrain met en évidence moins d'échecs, conduisant à une plus grande satisfaction des consommateurs et à la confiance dans les portes automatisées.

Circuit d'essai

STP55NF06 - Examen des temps de commutation avec une charge résistive

STP55NF06 - Enquête sur la dynamique des charges de porte

Tiration du MOSFET STP55NF06

Le MOSFET STP55NF06 fonctionne efficacement avec des demandes de tension modestes, initiant l'opération autour de 4V.Cette fonction s'aligne bien avec les applications nécessitant des tensions inférieures.Lorsqu'il est lié à VCC, la porte invite la conduction;La mise à la terre arrête le courant.Si la tension de porte tombe en dessous de 4V, la conduction s'arrête.Une résistance en tir, généralement près de 10 km, garantit que la porte reste ancrée lorsqu'elle est inactive, renforçant la fiabilité.

Dans les applications pratiques, la gestion stable de la tension des portes apparaît comme une influence sur la performance.Dans les scénarios exigeant une précision, l'intégration des mécanismes de rétroaction peut affiner les opérations, permettant aux systèmes de maintenir les fonctionnalités souhaitées au milieu de conditions fluctuantes.

Mise en œuvre du circuit

Pour garder le MOSFET engagé, la porte se connecte à la tension d'alimentation.Si la tension glisse en dessous de 4V, l'appareil entre dans la région ohmique, arrêtant la conduction.Une résistance de traction, comme une résistance de 10k, stabilise le circuit en gardant la porte ancrée lorsqu'elle n'est pas active, réduisant les risques d'activation involontaire des changements soudains de tension.

Spécifications techniques

Taper	Paramètre
Statut de cycle de vie	Actif (dernier mis à jour: il y a 8 mois)
Délai d'usine	12 semaines
Monter	Par le trou
Type de montage	Par le trou
Package / étui	À 220-3
Nombre d'épingles	3
Poids	4.535924G
Matériau d'élément transistor	SILICIUM
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃	50A TC
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS)	10V
Nombre d'éléments	1
Dissipation de puissance (max)	110W TC
Désactiver le temps de retard	36 ns
Température de fonctionnement	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Conditionnement	Tube
Série	Stripfet ™ II
Code JESD-609	E3
Statut de partie	Actif
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (illimité)
Nombre de terminaisons	3
Code ECCN	EAR99
Résistance	18 mOhm
Finition terminale	Étain mat (sn)
Tension - DC classée	60V
Note actuelle	50A
Numéro de pièce de base	STP55N
Comptage des broches	3
Configuration des éléments	Célibataire
Mode de fonctionnement	Mode d'amélioration
Dissipation de puissance	30W
Activer le temps de retard	20 ns
Type FET	Channel n
Application de transistor	Commutation
Rds sur (max) @ id, vgs	18m Ω @ 27,5a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4V @ 250μA
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS	1300pf @ 25v
Charge de porte (qg) (max) @ vgs	60nc @ 10v
Temps de hausse	50ns
VGS (max)	± 20V
Temps d'automne (TYP)	15 ns
Courant de vidange continu (ID)	50A
Tension de seuil	3V
Code JEDEC-95	À 220AB
Tension de porte à source (VGS)	20V
Égoutter le courant-max (ABS) (ID)	55A
Égoutter la tension de panne de source	60V
Courant de drain pulsé-max (IDM)	200A
Tension d'alimentation double	60V
VG nominal	3 V
Hauteur	9.15 mm
Longueur	10,4 mm
Largeur	4,6 mm
Atteindre SVHC	Pas de SVHC
Durcissement des rayonnements	Non
Statut ROHS	ROHS3 conforme
Avance libre	Avance libre

Composants comparables

Numéro de pièce	Fabricant	Monter	Package / étui	Courant de vidange continu (IDENTIFIANT)	Courant - drain continu (Id) @ 25 ° C	Tension de seuil	Tension de porte à source (VGS)	Dissipation de puissance	Dissipation de puissance-max
STP55NF06	Stmicroelectronics	Par le trou	À 220-3	50 a	50A (TC)	3 V	20 V	30 W	110W (TC)
STP65NF06	Stmicroelectronics	Par le trou	À 220-3	60 a	60a (TC)	1 V	15 V	110 W	110W (TC)
STP60NF06L	Stmicroelectronics	Par le trou	À 220-3	55 A	55A (TC)	2 V	25 V	114 W	114W (TC)
STP60NF06	Stmicroelectronics	Par le trou	À 220-3	60 a	60a (TC)	4 V	20 V	110 W	110W (TC)
FDP55N06	En semi-conducteur	-	À 220-3	-	60a (TC)	-	-	-	110W (TC)

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Aperçu du fabricant

La stmicroélectronique mène dans des solutions de semi-conducteurs, présentant des connaissances approfondies dans le silicium et les systèmes.Cette expertise les fait avancer dans l'avancement de la technologie du système sur puce (SOC), s'alignant avec les progrès technologiques modernes.Leur maîtrise en silicium fabrique des solutions de haute performance et éconergétiques requises pour diverses applications.De l'électronique grand public aux dispositifs industriels, ces solutions stimulent l'évolution rapide des technologies connectées, rencontrant la soif d'innovations plus intelligentes et durables.

La stmicroélectronique joue un rôle notable dans la technologie SOC en intégrant les fonctions sur une seule puce, en optimisant les performances et en réduisant les coûts.Cela répond à la demande d'électronique efficace, compacte et polyvalente.Les secteurs automobiles et IoT présentent principalement l'impact de l'entreprise sur la transformation des industries.Le secteur des semi-conducteurs prospère sur l'innovation et l'adaptation incessantes.Des entreprises comme Stmicroelectronics favorisent l'interopérabilité des appareils sans couture par la collaboration et l'intégration, s'adaptant aux avancées tout en assurant la fiabilité et les performances.Leurs stratégies adaptatives et leurs éthos collaboratifs offrent un modèle subtil pour les meilleures pratiques de l'industrie.

Fiche technique PDF

STP55NF06

STX55NF06 (-1, FP) .pdf

Feuilles techniques STP65NF06:

Std65nf06, stp65nf06.pdf

STP60NF06L

STX60NF06L (FP) .pdf

Fiches techniques STP60NF06:

Stp60nf06.pdf

Feuilles de données FDP55N06:

To220b03 pkg drawing.pdf

FDP55N06, FDPF55N06.pdf