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Master le transistor MOSFET IRF640N: Fiche technique, broche et pièces équivalentes

Le MOSFET IRF640N représente un progrès remarquable de l'électronique de puissance, en particulier dans la série hexfet de cinquième génération de Rectifier international.Avec sa faible résistance et sa grande efficacité, l'IRF640N est conçue pour répondre aux exigences des applications modernes nécessitant une gestion fiable et des performances thermiques.Dans cet article, nous plongerons dans ses spécifications techniques, ses caractéristiques clés et ses applications pratiques, démontrant pourquoi il s'agit d'un choix préféré pour vous dans des domaines allant des systèmes de contrôle industriel à l'électronique grand public.

Catalogue

Présentation IRF640N

Le IRF640N La série MOSFET, fondée sur des technologies de silicium bien établies, propose un éventail polyvalent d'appareils optimisés pour diverses applications.Il est spécifiquement adapté aux moteurs à courant continu, aux onduleurs, aux alimentations en mode commutateur (SMPS), aux systèmes d'éclairage, aux commutateurs de charge et aux équipements alimentés par batterie.Ces dispositifs sont disponibles dans les packages de montage de surface et de trou à travers, adhérant aux configurations standard de l'industrie pour faciliter le processus de conception.

La série IRF640N prouve sa valeur dans les moteurs à courant continu, où son efficacité élevée se traduit par des performances améliorées et une consommation d'énergie réduite.Lorsqu'elles sont appliquées aux onduleurs, ces MOSFET favorisent une conversion de puissance fiable, vitale pour les systèmes d'énergie renouvelable et les alimentations d'alimentation sans interruption (UPS).Pour les SMP, les dispositifs IRF640N améliorent la régulation de l'énergie et la gestion thermique, contribuant à la plus grande longévité et à la stabilité des circuits électroniques.

Ces MOSFET offrent des caractéristiques de commutation fiables dans diverses conditions de charge.Par exemple, dans les applications d'éclairage, ils garantissent des performances et des économies d'énergie cohérentes, en particulier notables dans les installations à grande échelle.Dans les dispositifs alimentés par batterie, une gestion efficace de l'alimentation fournie par les MOSFET IRF640N prolonge la durée de vie de la batterie, un aspect majeur de l'électronique portable.

Comprendre les MOSFETS

Les transistors à effet de champ métal-oxyde-sémiconducteur, communément appelés MOSFET, sont tissés dans le tissu des circuits électroniques modernes.Ils gèrent élégamment la commutation ou l'amplification de la tension, ce qui les rend nécessaires dans l'électronique contemporaine.Ces dispositifs semi-conducteurs fonctionnent à travers trois bornes: la source, la porte et le drain.Chaque terminal influence considérablement la tension et la régulation du courant.Ce qui rend les MOSFET vraiment fascinants, c'est la diversité de leurs principes de fonctionnement, apportant des avantages uniques à un large éventail d'applications.

Structure et fonction des MOSFET

La complexité d'un MOSFET réside dans sa structure interne, qui comprend la source, la porte et le drain combinées avec une couche d'oxyde qui isole la porte.Cette architecture confère la capacité de réguler précisément le flux d'électrons entre la source et le drain.L'application de la tension à la borne de porte génère un champ électrique.Ce champ module la conductivité du canal entre la source et le drain.Ce processus est l'essence du double rôle du MOSFET en tant que commutateur ou amplificateur, guidant le flux d'électricité avec une précision inégalée.

Types de MOSFETS

Les MOSFET se diversifient en deux types principaux: le mode d'épuisement et le mode d'amélioration, chacun présentant des traits et des objectifs uniques.

• MOSFEts en mode amélioration: Ceux-ci sont répandus dans les circuits numériques.Ils restent non conducteurs jusqu'à ce qu'une tension suffisante active la porte, apportant un contrôle délibéré qui convient aux applications numériques complexes.

• MOSFETS DE MODE DE PROPRIÉ: Par défaut, ceux-ci conduisent l'électricité et reposent sur la tension de la porte pour inhiber le flux de courant.Cette caractéristique permet un contrôle intuitif et automatique dans divers contextes.

Spécifications principales

Voici les spécifications techniques, les attributs clés et les paramètres de performance des technologies Infineon Irf640npbf MOSFET.

Taper	Paramètre
Usine Délai de mise en œuvre	12 Semaines
Contact Placage	Étain
Monter	À travers Trou
Montage Taper	À travers Trou
Emballer / Cas	À 220-3
Nombre des épingles	3
Transistor Matériau élémentaire	Silicium
Actuel - Drain continu (ID)	18a TC @ 25 ℃
Conduire Tension (max rds on, min rds on)	10V
Nombre des éléments	1
Pouvoir Dissipation (max)	150W TC
Tourner Temps de retard	23 ns
Opération Température	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Conditionnement	Tube
Série	Hexfet®
Publié	1999
JESD-609 Code	E3
Partie Statut	Actif
Humidité Niveau de sensibilité (MSL)	1 (Illimité)
Nombre des terminaisons	3
Terminaison	À travers Trou
ECCN Code	EAR99
Résistance	150 mOhm
Supplémentaire Fonctionnalité	AVALANCHE Résisant, haute fiabilité, ultra-bas
Tension - DC classé	200 V
Culminer Température de reflux (CEL)	250 ° C
Actuel Notation	18a
Temps @ Peak Reflux de température-max (s)	30 secondes
Nombre des canaux	1
Élément Configuration	Célibataire
Opération Mode	Renforcement Mode
Pouvoir Dissipation	150W
Cas Connexion	Vidange
Tourner Sur le temps de retard	10 ns
Fet Taper	Channel n
Transistor Application	Commutation
RDS Sur (max) @ id, vgs	150m Ω @ 11a, 10v
VGS (TH) (Max) @ id	4V @ 250μA
Saisir Capacité (ciss) (max) @ vds	1160pf @ 25v
Grille Charge (qg) (max) @ vgs	67nc @ 10v
Augmenter Temps	19 ns
Vgs (Max)	± 20V
Automne Temps (Typ)	5.5 ns
Continu Désus de vidage (ID)	18a
Seuil Tension	2V
JEDEC-95 Code	À 220AB
Grille à la tension source (VGS)	20V
Vidange à la tension de panne de source	200 V
Pulsé Égoutter le courant-max (IDM)	72a
Double Tension d'alimentation	200 V
Avalanche Note énergétique (EAS)	247 MJ
Récupération Temps	241 ns
Max Température de la jonction (TJ)	175 ° C
Nominal Vgs	4V
Hauteur	19,8 mm
Longueur	10,668 mm
Largeur	4,826 mm
ATTEINDRE SVHC	Non SVHC
Radiation Durcissement	Non
Rohs Statut	Rohs3 Conforme
Plomb Gratuit	Contient Plomb, plomb gratuit

Modèles CAO IRF640N

Symbole

Empreinte

Modèles 3D

Configuration de la broche d'IRF640N

Caractéristiques de IRF640N

Fonctionnalité	Description
Avancé Technologie de traitement	Utilise processus semi-conducteurs améliorés pour améliorer les performances.
Dynamique Note DV / DT	Proposer Performances robustes contre les transitoires de tension à grande vitesse.
175 ° C Température de fonctionnement	Soutien fonctionnement à haute température jusqu'à 175 ° C pour une plus grande fiabilité.
Rapide Commutation	Actif Applications de commutation à grande vitesse avec des temps de retard faibles.
Pleinement Avalanche noté	Peut gérer en toute sécurité l'énergie de l'avalanche, assurant la durabilité.
Facilité de parallèle	Simplifié Capacité de parallèle pour des applications de courant plus élevées.
Simple Exigences de conduite	Nécessite Tension minimale de conduite de porte, ce qui facilite l'utilisation dans les circuits.

Diagramme de bloc fonctionnel de IRF640N

Circuits d'application

Circuit d'essai de charge de porte

Circuit de test de temps de commutation

Circuit d'essai d'énergie non lié

Avantages de l'IRF640N

Durabilité et robustesse améliorées

Un attrait de l'IRF640N repose dans sa durabilité et sa robustesse remarquables, lui permettant de fonctionner de manière fiable même dans des contextes opérationnels difficiles.Par exemple, dans des scénarios industriels avec des contraintes de chaleur et d'électricité fréquentes, l'IRF640N maintient sa fonctionnalité sans hésiter.Cette résilience aide à préserver la stabilité du système, réduisant ainsi les temps d'arrêt potentiels et le maintien des performances maximales au fil du temps.

Large accessibilité à travers les réseaux de distribution

Accessible par de nombreux partenaires de distribution, l'obtention de l'IRF640N est simple pour vous.Cette disponibilité approfondie simplifie l'approvisionnement, raccourcit les délais de direction et facilite la douce progression des projets dangereux.L'approvisionnement rapide et fiable via de vastes réseaux de fournisseurs garantit que les projets restent dans les délais en permettant des remplacements rapides et une gestion des stocks plus facile.

Conformité aux normes de l'industrie

L'adhésion de l'IRF640N aux qualifications standard garantit sa sécurité, sa qualité et ses performances.Une telle conformité rationalise les processus de certification pour les appareils utilisant l'IRF640N, ce qui le rend principalement utile dans des secteurs fortement réglementés comme les industries automobiles et aérospatiales.En répondant aux normes strictes, l'IRF640N simplifie la voie pour obtenir des approbations et des certifications requises.

Superbes performances dans les applications à basse fréquence

Excellant dans les applications à basse fréquence, ce MOSFET est favorisé par beaucoup.Ses propriétés de conception et de matériau en font un choix optimal pour les alimentations, les conducteurs de moteur et autres électroniques basse fréquence.Cette efficacité dans l'utilisation de l'énergie améliore non seulement la longévité du système, mais contribue également aux améliorations globales des performances des dispositifs.

Facilité d'intégration et de remplacement

Bénéficiant d'une conception de broche standard, l'IRF640N est incorporée de manière transparente dans les circuits existants, ce qui en fait une option pratique pour les remplacements.Cette compatibilité réduit considérablement le temps requis pendant les phases de conception et de maintenance.La nécessité de refonte de circuits complexes est minimisée, rationalisait les processus de production et facilitant le dépannage plus rapide.

Capacité de transport à courant élevé

Connu pour sa capacité à gérer des courants élevés, l'IRF640N est bien adapté aux applications nécessitant une prestation de puissance substantielle.Cette caractéristique est très appréciée dans des contextes où des performances fiables à courant élevé sont essentielles, telles que les systèmes automobiles et les outils électriques.Vous pouvez tirer parti de cet attribut pour optimiser les performances du circuit et vous assurer que les périphériques finaux fonctionnent en toute sécurité et efficacement.

Équivalents IRF640N

•IRFB23N20D

•IRFB260N

•IRFB31N20D

•IRFB38N20D

•IRFB4127

•IRFB4227

•IRFB4229

•IRFB4233

•IRFB42N20D

•IRFB4332

Contexte du fabricant

International Rectifier a commencé son parcours en tant que prestigieuse société de technologie de puissance américaine, gagnant en reconnaissance pour sa spécialisation dans les circuits intégrés analogiques et à signal mixte (ICS) et les solutions avancées du système de puissance.L'acquisition par Infineon Technologies le 13 janvier 2015 a élargi son influence dans divers secteurs.

Le cœur de l'expertise de l'entreprise tourne autour de la création et de la production d'ICS analogiques et de signaux mixtes innovants.Ces développements répondent aux besoins complexes tels qu'une gestion efficace de la puissance et un traitement du signal.La maîtrise de ces domaines assure des performances optimisées et une fiabilité à long terme, active pour les applications de pointe.

Dans la sphère de l'électronique automobile, la technologie de l'International Rectifier soutient les progrès rapides des véhicules électriques et hybrides.Ces améliorations entraînent une efficacité améliorée et une baisse de l'impact environnemental.Cette technologie est évidente dans la transition croissante vers des solutions automobiles durables.Dans des domaines comme l'aérospatiale, principalement dans les avions satellites et les avions, la demande de précision et de fiabilité n'est pas négociable.Les contributions techniques de l'entreprise offrent la fiabilité inébranlable requise pour ces opérations dangereuses.Cette adhésion aux normes élevées a entraîné des progrès substantiels dans les industries automobiles et aérospatiales.

Emballage IRF640N

Pièces comparables

Numéro de pièce	Fabricant	Monter	Package / étui	Courant de vidange continu (ID)	Courant - drain continu (id) @ 25 ° C	Tension de seuil	Tension de porte à source (VGS)	Dissipation de puissance-max	Dissipation de puissance	Voir comparer
Irf640npbf	Infineon Technologies	À travers Trou	À 220-3	18 a	18a (TC)	2 V	20 V	150W (TC)	150 W
Irf3315pbf	Infineon Technologies	À travers Trou	À 220-3	27 A	23A (TC)	4 V	20 V	94W (TC)	136 W	Irf640npbf Vs irf3315pbf
FQP19N20C	SUR Semi-conducteur	À travers Trou	À 220-3	19 a	19A (TC)	4 V	30 V	139W (TC)	139 W	Irf640npbf Vs fqp19n20c
Irf644pbf	Vishay Siliconix	À travers Trou	À 220-3	18 a	18a (TC)	4 V	20 V	125W (TC)	125 W	Irf640npbf Vs irf644pbf
Irf640pbf	Vishay Siliconix	À travers Trou	À 220-3	14 A	14A (TC)	4 V	20 V	125W (TC)	125 W	Irf640npbf Vs irf640pbf

Fiche technique PDF

IRFB23N20D

IRFB23N20D, IRFS (L) 23N20D.PDF

Feuilles de données FQP19N20C:

To220b03 pkg drawing.pdf

FQP19N20C, FQPF19N20C.PDF

IRF644PBF Datasheets:

Irf644.pdf

IRF640PBF DataSheets:

Irf640, sihf640.pdf

Questions fréquemment posées (FAQ)

1. Combien de canaux l'IRF640N a-t-il?

L'IRF640N dispose d'un seul canal.C'est la caractéristique ultime de nombreux appareils MOSFET, simplifiant la conception et l'intégration dans les circuits tout en les rendant accessibles pour diverses applications.

2. Quel est le courant de drain continu pour l'IRF640N?

Le courant de drain continu est spécifié à VGS = 18V.Comprendre ce paramètre est utile pour saisir la capacité de courant du MOSFET sous différentes tensions de source de porte.Il met en évidence la capacité de l'appareil pour les applications de commutation à haute efficacité.

3. L'IRF640N peut-il fonctionner à 100 ° C?

Oui, l'IRF640N peut fonctionner à 100 ° C dans sa plage de température de fonctionnement recommandée de -55 ° C à 175 ° C.Le fonctionnement à ces températures élevées nécessite une gestion thermique minutieuse pour garantir la longévité et la fiabilité de l'appareil, reflétant les aspects pratiques de la conception thermique dans les situations réelles.

4. Combien d'épingles y a-t-il dans l'IRF640N?

L'IRF640N a trois épingles: porte, drainage et source.Cette configuration typique est utilisée pour le bon fonctionnement et l'interfaçage du MOSFET dans divers circuits électroniques, l'aidant à s'intégrer de manière transparente dans des systèmes complexes.

5. Quelles sont les dimensions de l'IRF640N?

Hauteur: 15,65 mm.

Longueur: 10 mm.

Largeur: 4,4 mm.

Ces dimensions maintiennent une importance pour les considérations de conception physique dans l'électronique à haute densité, soulignant l'importance du placement précis des composants et de la gestion thermique sur les cartes de circuits imprimées compactes.